0371-5536 5392 0371-5519 9322
-
PECVD等離子體增強化學(xué)... 化學(xué)氣相沉積采用等離子體增強型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，能夠利用高能量等離子體促進反應(yīng)過程，有效提升反應(yīng)速度，降低反應(yīng)溫度。適用...
-
CVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) CVD（化學(xué)氣相沉積）氣相沉積系統(tǒng)是一種常用的薄膜制備技術(shù)，通過在高溫下將氣體反應(yīng)物質(zhì)與基底表面反應(yīng)，形成薄膜
-
派瑞林真空氣相沉積 派瑞林真空氣相沉積（PECVD）是一種常用的薄膜沉積技術(shù)，用于在材料表面上制備薄膜。它是在真空環(huán)境中使用氣相化學(xué)反應(yīng)來沉...
-
PECVD氣相沉積 PECVD氣相沉積在超大規(guī)模集成電路、光電器件、MEMS等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用
-
旋轉(zhuǎn)等離子增強CVD化學(xué)沉... 旋轉(zhuǎn)等離子增強CVD化學(xué)沉積系統(tǒng)十分適合在氣氛保護的環(huán)境下連續(xù)對粉末材料用CVD方法進行包裹和修飾，旋轉(zhuǎn)等離子增強CVD...
-
雙溫區(qū)滑道旋轉(zhuǎn)管式爐CVD... 雙溫區(qū)滑道旋轉(zhuǎn)管式爐CVD系統(tǒng)十分適合在氣氛保護的環(huán)境下連續(xù)對粉末材料用CVD方法進行包裹和修飾，雙溫區(qū)滑道旋轉(zhuǎn)管式爐C...
-
等離子增強物理化學(xué)氣相沉積... 等離子增強物理化學(xué)氣相沉積HPCVD包括一臺雙溫區(qū)管式爐，一套鎢絲蒸發(fā)源，一套等離子發(fā)生裝置以及一套質(zhì)量流量計系統(tǒng)，等離...
-
晶圓級大尺寸二硫化鉬制備裝... 晶圓級大尺寸二硫化鉬制備裝置包括三溫區(qū)管式爐，特殊設(shè)計的爐管及配套氣路一組，晶圓級大尺寸二硫化鉬制備裝置通過特殊設(shè)計的管...