產(chǎn)品名稱：靶下置型雙靶DCRF磁控濺射鍍膜儀

○ 產(chǎn)品介紹

TN-MSP500S-DCRF-B 靶下置型雙靶磁控  為我公司研發(fā)的配有兩個(gè)靶位的實(shí)驗(yàn)室專用鍍膜儀，采用靶下置布局，樣品臺(tái)在上方，與靶面高度可通過(guò)程序可調(diào)，并且可旋轉(zhuǎn)加熱，性能優(yōu)異。設(shè)備配有一臺(tái)直流電源，一臺(tái)射頻電源，可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜等。

磁控濺射相較于普通的等離子濺射擁有能量高速度快的優(yōu)點(diǎn)，鍍膜速率高，樣品溫升低，是典型的高速低溫濺射。磁控靶配有水冷夾層，水冷機(jī)能夠有效的帶走熱量，避免熱量在靶面聚集，使磁控鍍膜能長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作。

○ 適用范圍

可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜等。

○ 產(chǎn)品特點(diǎn)

1：靶下置布局，樣品臺(tái)在上方，與靶面高度可通過(guò)程序可調(diào)，并且可旋轉(zhuǎn)加熱。
2：直流電源和射頻雙電源可以制備多種不同材料的薄膜，應(yīng)用廣泛。
3：磁控靶配有水冷夾層，水冷機(jī)有效的帶走熱量，避免熱量聚集 

○ 技術(shù)參數(shù)

供電電壓	AC220V,50Hz	整機(jī)功率	6KW
極限真空	5*10-4Pa	樣品臺(tái)尺寸	φ150mm
樣品臺(tái)加熱	≤500℃	樣品臺(tái)轉(zhuǎn)速	1-20rpm
磁控濺射頭規(guī)格	2"	磁控濺射頭冷卻方式	10L/民 循環(huán)水冷機(jī)
真空腔體尺寸	φ500mm*490mmH	腔體材料	不銹鋼
觀察窗	φ100mm	腔體開(kāi)啟方式	前開(kāi)門式
氣體流量控制器	1路200sccm Ar	真空泵	一套分子泵系統(tǒng)，抽速600L/S
膜厚儀	石英振動(dòng)薄膜測(cè)厚儀一臺(tái)，分辨率0.10 ?	射電源	直流電源1臺(tái)，500W，適用于制備金屬膜 射頻電源1臺(tái)，500W，適用于非金屬鍍膜
操作方式	一體機(jī)電腦操作	規(guī)格	整機(jī)尺寸 1090mm X 900mm X 1250mm 整機(jī)重量 350kg

○ 免責(zé)聲明

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